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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
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功率：124W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
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漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：760pF@25V
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导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
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功率：124W
阈值电压：5V@1mA
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连续漏极电流：11A
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导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
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规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
输入电容：740pF@25V
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
功率：124W
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNJTL
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
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栅极电荷：22nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNJTL
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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