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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2723728，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
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ECCN：EAR99
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输入电容：2160pF@15V
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：AO4838
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功率：2W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1300pF@15V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
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规格型号(MPN)：AO4838
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类型：2N沟道（双）
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：AO4838
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类型：2N沟道（双）
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规格型号(MPN)：AO4838
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连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
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规格型号(MPN)：AO4838
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功率：2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
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类型：2N沟道（双）
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
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功率：2.4W
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类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
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规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2160pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
输入电容：1300pF@15V
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
ECCN：EAR99
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2723728，"MI+"：12000}
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
功率：2.4W
输入电容：2160pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA6676PZ
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
功率：2.4W
输入电容：2160pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：46nC@10V
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4838
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.6mΩ@11A，10V
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