采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
连续漏极电流：11A
输入电容：1180pF@15V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
导通电阻：17mΩ@11A，10V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R120C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21321
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
