采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65T
功率：78W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65T
功率：78W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65T
功率：78W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNXC7G
功率：53W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R380P
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65D(STA4，X，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNXC7G
功率：53W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65A-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R380P
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF11N65-BP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R380F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.2pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R380D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：14.7nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.2pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R225C7
功率：63W
阈值电压：4V@240μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@10V，4.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KNJTL
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65T
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：360mΩ@10V，5.5A
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
功率：78W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R380D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：14.7nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.2pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R380D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：14.7nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.2pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
