采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R380P
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R380P
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R380D
阈值电压：4V@250μA
功率：31W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：11A
漏源电压：600V
栅极电荷：21.8nC@10V
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：0.33mΩ@10V，3.8A
输入电容：770pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
输入电容：646pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
漏源电压：650V
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
功率：31W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R380P
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：21.8nC@10V
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：330mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N70F
功率：31W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：395mΩ@10V，5.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF11S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：646pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
