品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):STU13N60M2
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
功率:110W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:580pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1500,"15+":15000}
规格型号(MPN):IPI60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
连续漏极电流:11A
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:96W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
功率:180W
输入电容:2700pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:600mΩ@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":31125,"17+":1650}
规格型号(MPN):NDD60N360U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
功率:114W
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:1078pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1500,"15+":15000}
规格型号(MPN):IPI60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
连续漏极电流:11A
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
类型:N沟道
包装方式:管件
漏源电压:600V
功率:96W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SPA11N60C3XKSA1
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
阈值电压:3.9V@500µA
功率:33W
输入电容:1200pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP13NM60N
功率:90W
导通电阻:360mΩ
包装方式:管件
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
功率:180W
输入电容:2700pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:600mΩ@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:25W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60M2-EP
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:378mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
输入电容:590pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA60R125CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:4.5V@390µA
包装方式:管件
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
输入电容:1503pF@400V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD380A60C
输入电容:955pF@100V
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
阈值电压:3.8V@250µA
功率:125W
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP15N60M2-EP
功率:110W
导通电阻:378mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
输入电容:590pF@100V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60M2
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
输入电容:580pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD380A60C
输入电容:955pF@100V
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
阈值电压:3.8V@250µA
功率:125W
栅极电荷:20nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD11S60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:208W
输入电容:545pF@100V
漏源电压:600V
导通电阻:399mΩ@3.8A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
阈值电压:4.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF11N60
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:36W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":500,"21+":950}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SPA11N60C3XKSA1
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
阈值电压:3.9V@500µA
功率:33W
输入电容:1200pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SPA11N60C3XKSA1
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@7A,10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
阈值电压:3.9V@500µA
功率:33W
输入电容:1200pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB13N60M2
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
输入电容:580pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB13N60M2
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
输入电容:580pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP13NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
包装方式:管件
连续漏极电流:11A
导通电阻:360mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":18500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":34500,"17+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N360U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: