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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11003NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@100µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：122492，"17+"：1290}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2417R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15N65M5
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：810pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF15N65M5
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：管件
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF13NM60ND
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：21337，"17+"：1500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1345-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1020pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：275mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60N
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011KND3TL1
工作温度：150℃
功率：124W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD13NM60ND
工作温度：150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8695R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：9.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
