采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：40，"21+"：770，"23+"：782，"MI+"：150}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL62P3LLH6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：40，"21+"：770，"23+"：782，"MI+"：150}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1342pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL62P3LLH6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8721PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1077pF@15V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@31A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
