采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25.4nC@10V
输入电容：1.342nF@15V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT060N04D5
功率：39W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.342nF@15V
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：40W
栅极电荷：25.4nC@10V
连续漏极电流：62A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y14-80E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.64nF@25V
连续漏极电流：62A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10V，15A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
