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    连续漏极电流: 13A
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 4V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF13N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW18NM60N
    ST Mosfet场效应管 STW18NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STFH18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STFH18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFH18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N50M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    ST Mosfet场效应管 STP18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STP18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1205pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    加购:75
    ST Mosfet场效应管 STP18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N50M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI13N50CTU 起订255个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI13N50CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:255
    ST Mosfet场效应管 STF18NM60N
    ST Mosfet场效应管 STF18NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCP13N60N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP13N60N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP13N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:116W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1765pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:258mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STFH18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STFH18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFH18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FCP13N60N
    onsemi Mosfet场效应管 FCP13N60N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP13N60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:116W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1765pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:258mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AEF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AEF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG15N80AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1128pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STW18NM60N 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW18NM60N 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1205pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP18NM60N
    ST Mosfet场效应管 STP18NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N50M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N50M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ST Mosfet场效应管 STB18N60M2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG15N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1093pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":358}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF13N50C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1205pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订225个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订225个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1205pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:225
    加购:75
    ST Mosfet场效应管 STP18NM60N
    ST Mosfet场效应管 STP18NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP18NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:285mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD14N60E-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD14N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1205pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:309mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    加购:75
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