采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF13N60NT
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：445psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW19NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
