采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF13N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：38945}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR5410TRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6215STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000，"22+"：8000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI13N50CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2055pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：38945}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：38945}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR5410PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP13N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：116W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1765pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：258mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
