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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.86nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
阈值电压：1.8V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：122404，"14+"：48000}
规格型号(MPN)：UPA2810T1L-E2-AY
漏源电压：30V
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：13A
输入电容：1.86nF@10V
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@13A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G13P04S
连续漏极电流：13A
阈值电压：1.8V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：13mΩ@10V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
输入电容：2.81nF@10V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：60.4nC@10V
输入电容：2.748nF@20V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
