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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
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栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
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功率：2.1W
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
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功率：1.7W€12.5W
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
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功率：1.7W€12.5W
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栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
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功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
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功率：2.1W
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.1W
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
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功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
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功率：1.7W€12.5W
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
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功率：1.7W€12.5W
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
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输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：860pF@15V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
连续漏极电流：4.7A
功率：1.7W€12.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：560pF@15V
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1250000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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