采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3443CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
