品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO211PNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO211PNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":17500,"13+":12500,"14+":927500,"MI+":73870}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO211PNTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:67mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
功率:620mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
阈值电压:800mV@250µA
漏源电压:20V
工作温度:-50℃~150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM500P02DCQ RFG
工作温度:-50℃~150℃
功率:620mW
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1230pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: