采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
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导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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ECCN：EAR99
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输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
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导通电阻：55mΩ@5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMD6P02R2G
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：167，"19+"：1615，"20+"：1480，"22+"：250163，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6P02R2G
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
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导通电阻：55mΩ@5A，10V
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.2W
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输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：167，"19+"：1615，"20+"：1480，"22+"：250163，"MI+"：5000}
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规格型号(MPN)：NVMD6P02R2G
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.8A
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导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
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导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：167，"19+"：1615，"20+"：1480，"22+"：250163，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6P02R2G
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6P02R2G
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
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导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
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