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    连续漏极电流
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    连续漏极电流: 36A
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:700+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC430N25NSFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC430N25NSFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC430N25NSFDATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R060M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R060M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@13A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540ZPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540ZPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540ZPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:92W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0065090D 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0065090D 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0065090D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@5mA

    栅极电荷:30.4nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:660pF@600V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@20A,15V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL095N65S3HF 起订77个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL095N65S3HF 起订77个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272W

    阈值电压:5V@860µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2930pF@400V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA36N30P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA36N30P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA36N30P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:347W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:2040pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R060CFD7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R060CFD7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R060CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:4.5V@860µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3288pF@400V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R060M1HXTMA1 起订29个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R060M1HXTMA1 起订29个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":321,"23+":2750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R060M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:181W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1145pF@800V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:83mΩ@13A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    CREE Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装
    CREE Mosfet场效应管 C2M0080120D 起订1个装

    品牌:CREE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C2M0080120D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@5V

    包装方式:散装

    输入电容:950pF@1000V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP095N65S3HF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP095N65S3HF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP095N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272W

    阈值电压:5V@860µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2930pF@400V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL095N65S3HF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL095N65S3HF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272W

    阈值电压:5V@860µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2930pF@400V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC320N20NS3G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC320N20NS3G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC320N20NS3G

    功率:125W

    阈值电压:4V@90μA

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10V,36A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN36N100 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN36N100 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN36N100

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:380nC@10V

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:74nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R120C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW90R120C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW90R120C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.5V@2.9mA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@26A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC320N20NS3 G 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC320N20NS3 G 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC320N20NS3 G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:Reel

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@36A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150P03PQ33 RGG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150P03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1829pF@15V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:74nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL540NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€140W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@18A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2647pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC320N20NS3G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC320N20NS3G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2201

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC320N20NS3G

    功率:125W

    阈值电压:4V@90μA

    连续漏极电流:36A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10V,36A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB47N60DM6AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB47N60DM6AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB47N60DM6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP36N20X3M 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP36N20X3M 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP36N20X3M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1425pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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