采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：277W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：61nC@18V
包装方式：散装
输入电容：1233pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：100Ω@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：321，"23+"：2750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：277W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：61nC@18V
包装方式：散装
输入电容：1233pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：100Ω@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R060M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：181W
阈值电压：5.7V@5.6mA
栅极电荷：34nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1145pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：600psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTWA40N120G2V-4
工作温度：-55℃~200℃
功率：277W
阈值电压：4.9V@1mA
栅极电荷：61nC@18V
包装方式：散装
输入电容：1233pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：100Ω@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
