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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
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连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
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连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
导通电阻：17mΩ@18A，10V
工作温度：175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
功率：1.2W€56W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04SDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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栅极电荷：55nC@10V
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输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
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类型：P沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
