包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1715，"22+"：4167，"23+"：1168，"MI+"：3437}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G36N03K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：31W

阈值电压：2.2V@250μA

栅极电荷：14nC@10V

输入电容：1.04nF@15V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

反向传输电容：136pF@15V

导通电阻：7mΩ@10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1715，"22+"：4167，"23+"：1168，"MI+"：3437}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

漏源电压：500V

功率：446W

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

阈值电压：4V@250μA

连续漏极电流：36A

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：5.579nF@25V

栅极电荷：180nC@10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

漏源电压：500V

功率：446W

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

阈值电压：4V@250μA

连续漏极电流：36A

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：5.579nF@25V

栅极电荷：180nC@10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHS36N50D-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：5V

栅极电荷：83nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHS36N50D-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：5V

栅极电荷：83nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：480psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHS36N50D-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：5V

栅极电荷：83nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMT090N65S3HF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：272W

阈值电压：5V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：90mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：446W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.579nF@25V

连续漏极电流：36A

类型：1个N沟道

导通电阻：130mΩ@22A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1