采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：347pF@100V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP690N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：347pF@100V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK65ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1145pF@25V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：667mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
