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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
输入电容：424pF@5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3404-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：82pF@15V
导通电阻：28mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：5.4nC@10V
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
输入电容：430pF@10V
阈值电压：2.35V@10μA
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
连续漏极电流：5.8A
阈值电压：800mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：7.7nC@4.5V
功率：1.56W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：535pF@10V
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
