采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TRR
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：1.05nF@15V
连续漏极电流：5.8A
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3400A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：71pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：30nC@8V
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM305ND TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFML8244TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.35V@10μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5.8A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@5V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
连续漏极电流：5.8A
功率：1.4W
漏源电压：30V
输入电容：823pF@15V
反向传输电容：77pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
栅极电荷：9.7nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2.2V@250μA
导通电阻：38mΩ@10V，5.8A
输入电容：424pF@5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM305ND TR13 PBFREE
栅极电荷：6.3nC@5V
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：560pF@10V
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
导通电阻：30mΩ@2.9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3400A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：71pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3400A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：71pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4025LSDQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL3400A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：17.5nC@10V
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：71pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TRR
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：1.05nF@15V
连续漏极电流：5.8A
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@100μA
栅极电荷：60.5nC@10V
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.9A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
