品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BST82,215
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BST82,215
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.8V@13μA
栅极电荷:630pC@10V
输入电容:15pF@50V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:265mW€1.33W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:265mW€1.33W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:265mW€1.33W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:430pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:190mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:190mA
功率:830mW
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
输入电容:40pF@10V
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
工作温度:-65℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:190mA
功率:830mW
类型:1个N沟道
导通电阻:10Ω@150mA,5V
输入电容:40pF@10V
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
工作温度:-65℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: