采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R165CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP21N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：2.7V@5mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1272pF@1000V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R115CFD7AXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120ALHRC11
工作温度：175℃
功率：103W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：管件
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3120ALGC11
工作温度：175℃
功率：103W
阈值电压：5.6V@3.33mA
栅极电荷：38nC@18V
包装方式：管件
输入电容：460pF@500V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@6.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB21N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2322pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：197，"MI+"：1450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA21N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.5W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2150
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：管件
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP21N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R165CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@660µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28NM50N
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1735pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：158mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：2.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1272pF@1000V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：208mΩ@12A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R115CFD7AXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@490µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@400V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R165CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@660µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG21N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：176mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
