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    连续漏极电流: 1.3A
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:9
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

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    功率:350mW

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

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    功率:350mW

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

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    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

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    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

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    功率:350mW

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:416pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-GE3 起订16个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-GE3 起订16个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:198mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1967DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:490mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1967DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:490mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1922EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:198mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
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