首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    连续漏极电流
    行业应用
    类型
    包装方式
    工作温度
    漏源电压
    连续漏极电流: 1.3A
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:416pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6QTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN352AP 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN352AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G 起订2600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G 起订2600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2600
    加购:200
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧