采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：78000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：78000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A17E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@50V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@1.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR01P02LT1G
功率：400mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@5V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：220mΩ@750mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
