品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:1150W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19600pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@60A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4224pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4954pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":100,"22+":800}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPS3810PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:580W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:390nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6790pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH170N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@85A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AM
功率:215W
阈值电压:1.6V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ110EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:715W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:715W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":100,"22+":800}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK170N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:715W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:715W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C02NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2980pF@15V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.25mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA170N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN170N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@85A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT170N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:715W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:198nC@10V
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT025N06AD5
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5044pF@30V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ110EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":448}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3207TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: