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    连续漏极电流
    7A
    行业应用
    连续漏极电流: 7A
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD11N65M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC22DN20NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:4V@13µA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:225mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9875-100A/CUX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9875-100A/CUX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9875-100A/CUX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R650CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@210µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT7F120S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2565pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@200µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订3个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT10N10 起订17个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT10N10 起订17个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT10N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:4.3nC@10V

    输入电容:206pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1.4pF@50V

    导通电阻:115mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N65E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD6N65E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7S10N1Z,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7S10N1Z,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ

    工作温度:175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426AEEV-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426AEEV-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订752个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订752个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":8,"18+":267,"19+":565}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCPF07N65-BP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCPF07N65-BP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCPF07N65-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNE,115 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB23XNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP7N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP7N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2590pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU7N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHU7N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHU7N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:680pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G07P04S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@20V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R650CEAUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R650CEAUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:3.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOTE32136C 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTE32136C 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTE32136C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.25V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订699个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订699个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@400V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7S10N1Z,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7S10N1Z,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ

    工作温度:175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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