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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:18nC@4.5V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    输入电容:1.15nF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070BNTR

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:410pF@15V

    导通电阻:28.6mΩ@7A,10V

    功率:2W

    栅极电荷:8.9nC@10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    栅极电荷:38nC@10V

    功率:860mW

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:18nC@4.5V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    输入电容:1.15nF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935A

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:30V

    输入电容:1233pF@15V

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3007-TP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1500pF@15V

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    功率:1.9W

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    栅极电荷:38nC@10V

    功率:860mW

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB16R5XNEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX

    阈值电压:900mV@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:18nC@4.5V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V

    输入电容:1.15nF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W€12.5W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    功率:1W

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8J65TB1

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1200pF@10V

    工作温度:150℃

    导通电阻:29mΩ@7A,10V

    功率:2W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8J65TB1

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1200pF@10V

    工作温度:150℃

    导通电阻:29mΩ@7A,10V

    功率:2W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    功率:1W

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8J65TB1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1200pF@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:29mΩ@7A,10V

    功率:2W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMSF7P03HDR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMSF7P03HDR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"09+":1512,"10+":21953}

    规格型号(MPN):MMSF7P03HDR2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:35mΩ@5.3A,10V

    栅极电荷:75.8nC@6V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.5W

    输入电容:1680pF@24V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8-SOIC

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:600pF@15V

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E070BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E070BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E070BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:410pF@15V

    功率:2W

    栅极电荷:8.9nC@10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1233pF@15V

    功率:900mW

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订992个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订992个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDFS6N548 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDFS6N548 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDFS6N548

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:700pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:1.6W

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1600pF@15V

    栅极电荷:38nC@10V

    功率:860mW

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:950pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    功率:1W

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSD32334C 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSD32334C 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSD32334C

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:600pF@15V

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:1.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4449 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4449 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4449

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:34mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:16nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:910pF@15V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E070BNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E070BNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E070BNTB

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:410pF@15V

    功率:2W

    栅极电荷:8.9nC@10V

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订502个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订502个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E070RPTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.6mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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