品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
输入电容:1.15nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€12.5W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:410pF@15V
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
输入电容:1.15nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€12.5W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
输入电容:1233pF@15V
导通电阻:23mΩ@7A,10V
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SL3007-TP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:1500pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
功率:1.9W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB16R5XNEX
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
输入电容:1.15nF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W€12.5W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1200pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:29mΩ@7A,10V
功率:2W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1200pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:29mΩ@7A,10V
功率:2W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1200pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:29mΩ@7A,10V
功率:2W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":1512,"10+":21953}
规格型号(MPN):MMSF7P03HDR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:35mΩ@5.3A,10V
栅极电荷:75.8nC@6V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
功率:2.5W
输入电容:1680pF@24V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):8-SOIC
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:600pF@15V
导通电阻:20mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.7W
阈值电压:2.3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:410pF@15V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1233pF@15V
功率:900mW
工作温度:-55℃~175℃
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:23mΩ@7A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
栅极电荷:38nC@10V
功率:860mW
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:950pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:16.1mΩ@7A,10V
功率:1W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSD32334C
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:600pF@15V
导通电阻:20mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.7W
阈值电压:2.3V@250µA
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4449
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:34mΩ@7A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:410pF@15V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8984
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E070RPTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: