品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:97W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:891pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP07N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:73W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.5pF@25V
导通电阻:1.15Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
栅极电荷:28nC@10V
类型:1个N沟道
功率:48W
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
输入电容:1.1nF@25V
反向传输电容:12pF@25V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT7N65AD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:1.3Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM7NC65CF C0G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:44.6W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.169nF@50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.35Ω@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:97W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:891pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@25V
导通电阻:1.1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP07N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:73W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.5pF@25V
导通电阻:1.15Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP07N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:73W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3.5pF@25V
导通电阻:1.15Ω@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TSM7NC65CF C0G
类型:1个N沟道
输入电容:1.169nF@50V
漏源电压:650V
功率:44.6W
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.35Ω@2A,10V
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT7N65
栅极电荷:28nC@10V
类型:1个N沟道
功率:48W
导通电阻:1Ω@10V,3.5A
输入电容:1.1nF@25V
反向传输电容:12pF@25V
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存: