采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007JND3TL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：7V@1mA
栅极电荷：17.5nC@15V
输入电容：475pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：780mΩ@3.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16R5XNEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16R5XNEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16R5XNEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16R5XNEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16R5XNEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8810-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：1.15nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：145pF@10V
导通电阻：20mΩ@10V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT10N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：17W
阈值电压：2V
栅极电荷：4.3nC@10V
输入电容：206pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF@50V
导通电阻：115mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6568J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：50nC@Vgs=10V
输入电容：1.92nF@Vds=25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：116pF@Vds=25V
导通电阻：56mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：868pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：1.38Ω@10V，3.5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16R5XNEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1592J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7.2nC@Vgs=10V
输入电容：443pF@Vds=50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15.4pF@Vds=50V
导通电阻：68mΩ@10V，7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@10V，3.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007JND3TL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：7V@1mA
栅极电荷：17.5nC@15V
输入电容：475pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：780mΩ@3.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007JND3TL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：7V@1mA
栅极电荷：17.5nC@15V
输入电容：475pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：780mΩ@3.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007JND3TL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：7V@1mA
栅极电荷：17.5nC@15V
输入电容：475pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：780mΩ@3.5A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
