品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2604DT2AG
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:20mΩ@7A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
输入电容:720pF@20V
栅极电荷:11nC@10V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:20mΩ@7A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
输入电容:720pF@20V
栅极电荷:11nC@10V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: