品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5207ANDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5207ANDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:545pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS6N548
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:23mΩ@7A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT65R600D
工作温度:-55℃~+150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:509pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.5pF@100V
导通电阻:530mΩ@10V,3.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB600CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:516pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB600CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:516pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB600CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:516pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB600CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:516pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5207ANDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5207ANDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存: