品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8K26TR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS7P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@3.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8032L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J808R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: