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    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8664R-TL-H 起订1194个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E070RPTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.6mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 8-SOIC 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):8-SOIC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4744NT1G 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4744NT1G 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":1000,"08+":149685,"09+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4744NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:880mW€47.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K3FRATB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K3FRATB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K3FRATB

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21313C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1233pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070GNTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070GNTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.4mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8J65TB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8J65TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:29mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E070RPTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1233pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435BDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435BDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:06+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21313C 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21313C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3042LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS17D0P03P8ZTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS17D0P03P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8984 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8984

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E070RPTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E070BNTCL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E070BNTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.1mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7408SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7408SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E070RPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E070RPTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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