品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RXH070N03TB1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V
栅极电荷:5.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RXH070N03TB1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:1V
栅极电荷:5.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E070BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:29mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: