采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：7N65F
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：7N65F
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CE
功率：28W
阈值电压：3.5V@210μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，2.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：7N65F
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL7N65
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD7N65
功率：95W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD7N65
功率：95W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL7N65
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CE
功率：28W
阈值电压：3.5V@210μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，2.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507KND3TL1
功率：78W
阈值电压：5V@200μA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507KND3TL1
功率：78W
阈值电压：5V@200μA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507KND3TL1
功率：78W
阈值电压：5V@200μA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：7N65F
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507KND3TL1
功率：78W
阈值电压：5V@200μA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CE
功率：28W
阈值电压：3.5V@210μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，2.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CE
功率：28W
阈值电压：3.5V@210μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，2.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CE
功率：28W
阈值电压：3.5V@210μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，2.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CE
功率：28W
阈值电压：3.5V@210μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，2.1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507ENXC7G
功率：46W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：7N65F
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507KNXC7G
功率：46W
阈值电压：5V@200μA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：7N65F
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD7N65
功率：95W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
