销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9875-100A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R650CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@200µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3426AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":8,"18+":267,"19+":565}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R650CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCPF07N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP7N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU7N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF7N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R600PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ
工作温度:175℃
功率:50W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N6F7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: