品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
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功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
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功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
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输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
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漏源电压:650V
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:7A
类型:N沟道
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漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:7A
类型:N沟道
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漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
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类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
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输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
工作温度:150℃
阈值电压:4V@240µA
类型:N沟道
功率:60W
栅极电荷:14.5nC@10V
漏源电压:650V
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P60Y,RQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
工作温度:150℃
阈值电压:4V@240µA
类型:N沟道
功率:60W
栅极电荷:14.5nC@10V
漏源电压:600V
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@300V
工作温度:150℃
阈值电压:4V@240µA
类型:N沟道
功率:60W
栅极电荷:14.5nC@10V
漏源电压:650V
导通电阻:560mΩ@3.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05GZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05GZETB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NS20T4
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070GNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:21.4mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH070N05TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: