采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：860，"18+"：1850，"19+"：30，"9999"：419，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：59，"21+"：2806，"22+"：2500，"9999"：400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R650CEXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT7S65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：860，"18+"：1850，"19+"：30，"9999"：419，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
