采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXFP7N100P
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：6V@1mA
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：1000V
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
功率：300W
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1245pF@25V
漏源电压：650V
包装方式：管件
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"9999"：772}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1245pF@25V
漏源电压：650V
包装方式：管件
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF11N90C
输入电容：3290pF@25V
漏源电压：900V
栅极电荷：80nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
包装方式：管件
导通电阻：1.1Ω@3.5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
输入电容：996pF@400V
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@240µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
栅极电荷：20nC@10V
功率：29W
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXFP7N80P
导通电阻：1.44Ω@3.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：200W
输入电容：1890pF@25V
包装方式：管件
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：5V@1mA
漏源电压：800V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCI7N60
功率：83W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：920pF@25V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK95Z
输入电容：2256pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
类型：N沟道
漏源电压：950V
包装方式：管件
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：1.38Ω@3.6A，10V
阈值电压：4.5V@100µA
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IXFA7N80P
导通电阻：1.44Ω@3.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：200W
输入电容：1890pF@25V
包装方式：管件
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：5V@1mA
漏源电压：800V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：920pF@25V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
功率：31W
包装方式：管件
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCPF07N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP7N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2590pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：31W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF7S65
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：434pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65CYDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3676，"18+"：9557，"20+"：12408，"9999"：40，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N65C
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1245pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW9NK95Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2256pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@3.6A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW12N150K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW12N150K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
