采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMB3900AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@13V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：8-SOIC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K3FRATB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8032L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K26TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3000，"18+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8664R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23.5mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4026SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
