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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7307，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：886，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：886，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
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导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
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连续漏极电流：7A
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漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
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功率：900mW
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7A
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导通电阻：23mΩ@7A，10V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
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连续漏极电流：7A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS4935A
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功率：900mW
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连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7307，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7307，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO203PHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
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输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
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导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：886，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
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导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J65TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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