采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1512，"10+"：21953}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSF7P03HDR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@24V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT1592J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：7.2nC@Vgs=10V
输入电容：443pF@Vds=50V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15.4pF@Vds=50V
导通电阻：68mΩ@10V，7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1512，"10+"：21953}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSF7P03HDR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@24V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1512，"10+"：21953}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMSF7P03HDR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@24V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：70，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1107pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G07P04S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
