品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R650CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:86W
阈值电压:3.5V@210µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: