采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2680}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R660E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2680}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R660E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：2680}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R660E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：516pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
