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销售单位：个
规格型号(MPN)：8-SOIC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
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输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
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功率：1.7W
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类型：N沟道
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
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功率：1.7W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
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功率：1.7W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
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功率：1.7W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
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功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7A
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导通电阻：20mΩ@7A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
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导通电阻：20mΩ@7A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18000，"22+"：127455}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：8-SOIC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
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导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
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工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
漏源电压：20V
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功率：1.7W
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：8-SOIC
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
输入电容：600pF@15V
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功率：1.7W
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
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ECCN：EAR99
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
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连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：1136pF@10V
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类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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类型：N沟道
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漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
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输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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